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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMLT3820G
CMLT3820G PDF预览

CMLT3820G

更新时间： 2024-02-18 19:58:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
SURFACE MOUNT PICOminiTM VERY LOW VCE(SAT) NPN SILICON TRANSISTOR

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CMLT3820G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

CMLT3820G 数据手册

 浏览型号CMLT3820G的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT3820G  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
TM  
PICOmini  
VERY LOW V  
CE(SAT)  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3820G is  
a very low V NPN Transistor, designed for  
CE(SAT)  
applications where small size and efficiency are the  
prime requirements. Packaged in a space saving  
PICOmini™ SOT-563 surface mount package, this  
component provides performance characteristics  
suitable for the most demanding size constrained  
applications.  
C
C
E
C
C
B
MARKING CODE: 38G  
SOT-563 CASE  
APPLICATIONS:  
• DC/DC Converters  
FEATURES:  
Device is Halogen Free by design  
•
• High Current (I =1.0A)  
Voltage Clamping  
Protection Circuits  
Battery powered Cell Phones, Pagers,  
Digital Cameras, PDAs, Laptops, etc.  
•
•
•
C
V
=0.28V MAX @  
I =1.0A  
•
•
•
CE(SAT)  
C
PICOmini™ SOT563 surface mount package  
Complementary PNP device CMLT7820G  
SYMBOL  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
UNITS  
V
V
V
A
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
80  
60  
5.0  
1.0  
2.0  
CBO  
CEO  
EBO  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
I
C
I
A
CM  
I
P
300  
250  
-65 to +150  
500  
mA  
mW  
°C  
B
D
T , T  
stg  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=60V  
=5.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
80  
60  
5.0  
C
I =10mA  
C
I =100μA  
EBO  
E
V
V
V
V
V
h
h
h
I =100mA, I =1.0mA  
0.115  
0.15  
0.28  
1.1  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
B
I =500mA, I =50mA  
C
I =1.0A, I =100mA  
C
B
B
I =1.0A, I =50mA  
C
V
=5.0V, I =1.0A  
0.9  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
=5.0V, I =500mA  
200  
200  
100  
150  
C
FE  
FE  
C
C
=5.0V, I =1.0A  
f
=10V, I =50mA  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
10  
ob  
E
R1 (30-September 2008)  
12

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与CMLT3820G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT3820G_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) NPN SILICON TRANSISTOR
CMLT3820GLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CMLT3820GTRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMLT3904 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR
CMLT3904E CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION COMPLEMENTARY PICOmini SILICON TRANSISTORS
CMLT3904E_10 CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMLT3904EBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PICOMIN
CMLT3904EBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLT3904EG CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMLT3904EGBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor

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