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CMLT3906 PDF预览

CMLT3906

更新时间： 2024-01-17 22:26:21
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR

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CMLT3906 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：0.2 A最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

CMLT3906 数据手册

 浏览型号CMLT3906的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT3904 NPN  
CMLT3906 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
CMLT3946 NPN/PNP  
FEATURES:  
DUAL SMALL SIGNAL  
• SPACE SAVING  
SWITCHING TRANSISTOR  
• TWO NPN OR TWO PNP TRANSISTORS IN  
A SINGLE PACKAGE  
• COMPLEMENTARY, ONE NPN AND ONE  
PNP TRANSISTOR IN A SINGLE PACKAGE  
Marking Codes:  
CMLT3904  
CMLT3906  
CMLT3946  
L04  
L06  
L46  
SOT-563  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CMLT3904 (two single NPN), CMLT3906 (two single PNP), and CMLT3946  
(one each NPN and PNP complementary) are combinations of transistors in a space saving SOT-563  
package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
NPN  
PNP  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
60  
40  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
40  
40  
V
6.0  
5.0  
V
I
200  
350  
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
SYMBOL  
CEV  
BL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX UNIT  
I
I
V
V
=30V, V =3.0V  
50  
50  
nA  
nA  
V
CE  
EB  
=30V, V =3.0V  
50  
CE  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
60  
40  
6.0  
40  
40  
5.0  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.20  
0.30  
0.85  
0.95  
0.25  
0.40  
0.85  
0.95  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
0.65  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
70  
60  
80  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
100  
60  
30  
300  
100  
60  
300  
FE  
C
=1.0V, I =50mA  
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
30  
FE  
C
R0 ( 11-February 2002)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT3906E CENTRAL

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CMLT3906EBKPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT3906EG CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
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