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CMHD2003TIN/LEAD#N/A

更新时间： 2024-10-30 12:58:07

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CENTRAL		整流二极管开关光电二极管高压
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描述
Rectifier Diode,

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CMHD2003TIN/LEAD#N/A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.4 W
最大重复峰值反向电压：	250 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

CMHD2003TIN/LEAD#N/A 数据手册

Central

CMHD2003

Semiconductor Corp.

HIGH VOLTAGE

SWITCHING DIODE

DESCRIPTION:

The

CENTRAL

SEMICONDUCTOR

CMHD2003 is a Silicon Switching Diode,

manufactured by the epitaxial planar

process, epoxy molded in a SOD-123

surface mount package, designed for

applications requiring high voltage

capability. Marking Code is C03.

SOD-123 CASE

MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

UNITS

Continuous Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Average Rectified Current

Peak Repetitive Forward Current

Forward Surge Current, tp<1s, T =25°C

250

200

625

1.0

FRM

FSM

Power Dissipation

400

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

T ,T

J stg

-65 to +150

312.5

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

V =200V

100

1.0

µA

V =200V, T =100°C

I =100mA

V =0, f=1 MHz

1.5

I =I =30mA, R =100Ω, Rec. to 3.0mA

F R

R2 ( 2-November 2001)

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