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CMASH-4BK PDF预览

CMASH-4BK

更新时间： 2024-09-16 21:15:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 340K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MINIATURE PACKAGE-2

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CMASH-4BK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MINIATURE PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.46
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.38 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.6 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

CMASH-4BK 数据手册

 浏览型号CMASH-4BK的Datasheet PDF文件第2页 
CMASH-4  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON SCHOTTKY DIODE  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMASH-4 is a  
high quality Schottky Diode designed for applications  
where very small size and operational efficiency are  
prime requirements.  
MARKING CODE: A  
SOD-923 CASE  
FEATURES:  
APPLICATIONS:  
• DC / DC Converters  
• Voltage Clamping  
• Current (I =200mA)  
O
• Low Forward Voltage Drop (V =0.35V TYP @ 1.0mA)  
F
• Low Reverse Current (25nA TYP @ 30V)  
• Protection Circuits  
• Extremely Fast Switching (5ns Max)  
• Battery powered applications including  
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,  
PDAs, Laptop Computers, etc.  
• Miniture, 0.8 x 0.6 x 0.4mm, ultra low height profile  
FEMTOminiTM Surface Mount Package.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Average Forward Current  
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms  
Power Dissipation  
V
40  
200  
RRM  
I
mA  
mA  
mW  
°C  
O
I
600  
FSM  
P
100  
D
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
-65 to +125  
-65 to +150  
1000  
J
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
V =30V  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
V
I
25  
200  
R
R
BV  
I =10μA  
40  
R
R
V
V
V
I =1.0mA  
0.35  
0.55  
0.77  
0.38  
0.65  
1.00  
5.0  
V
F
F
F
F
I =15mA  
V
F
I =40mA  
V
F
C
V =0, f=1.0MHz  
pF  
ns  
T
R
t
I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω  
5.0  
rr  
F
R
rr  
L
R1 (26-May 2010)  
12

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与CMASH-4BK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMASH-4BKLEADFREE CENTRAL

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),
CMASH-4BKPBFREE CENTRAL

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),
CMASH-4PBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMASH-4TIN/LEAD CENTRAL

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 		Rectifier Diode,
CMASH-4TR CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM H
CMASH-4TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM H
CMATVS3V3 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SILICON TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
CMATVS3V3_5V0 CENTRAL

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 		3.3V and 5.0V Transient Voltage Suppressors in ultra miniature SOD-923 package
CMATVS5V0 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SILICON TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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 		High Pulse Load MELF Resistor

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