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CM600HA12E

更新时间: 2024-02-13 08:05:50
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 170K
描述
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 600A I(C)

CM600HA12E 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):600 A集电极-发射极最大电压:600 V
门极-发射极最大电压:20 V元件数量:1
最高工作温度:150 °C子类别:Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max:3.5 VBase Number Matches:1

CM600HA12E 数据手册

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