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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CI-B2012-820KJB | HITACHI |
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General Purpose Inductor, 0.082uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, |
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| CI-B2012-82NKJL | HITACHI |
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General Purpose Inductor, 0.0082uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, |
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| CI-B2012-82NKPT | HITACHI |
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General Purpose Inductor, 0.0082uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, |
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| CIB21J260 | SAMSUNG |
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MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
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| CIB21J400 | SAMSUNG |
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MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
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| CIB21P110 | SAMSUNG |
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MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
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| CIB21P150 | SAMSUNG |
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MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
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| CIB21P260 | SAMSUNG |
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MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
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| CIB21P260NE | SAMSUNG |
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Chip Bead CIB/CIM Series For EMI Suppression |
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| CIB21P330 | SAMSUNG |
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MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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