5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CI-B2012-82NKPT | HITACHI |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 0.0082uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, |
|
| CIB21J260 | SAMSUNG |
获取价格 |
MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
|
| CIB21J400 | SAMSUNG |
获取价格 |
MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
|
| CIB21P110 | SAMSUNG |
获取价格 |
MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
|
| CIB21P150 | SAMSUNG |
获取价格 |
MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
|
| CIB21P260 | SAMSUNG |
获取价格 |
MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
|
| CIB21P260NE | SAMSUNG |
获取价格 |
Chip Bead CIB/CIM Series For EMI Suppression |
|
| CIB21P330 | SAMSUNG |
获取价格 |
MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
|
| CIB21P470 | SAMSUNG |
获取价格 |
MULTILAYER CHIP COMPONENTS |
|
| CIB32P600NE | SAMSUNG |
获取价格 |
Chip Bead CIB/CIM Series For EMI Suppression |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
