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CGD1042H,112

更新时间： 2024-11-23 14:48:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		射频微波
页数	文件大小	规格书
7页	84K
描述
CGD1042H - 1 GHz, 23 dB gain high output power doubler SFM 7-Pin

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CGD1042H,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	SOT-115J
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	构造：	MODULE
JESD-609代码：	e4	功能数量：	1
最大工作频率：	1000 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	FREQUENCY DOUBLER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	470 mA
技术：	HYBRID	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Base Number Matches：	1

CGD1042H,112 数据手册

CGD1042H

1 GHz, 23 dB gain high output power doubler

Rev. 02 — 16 November 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V

Direct Current (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

High output power capability

Excellent linearity

Extremely low noise

Excellent return loss properties

Rugged construction

Unconditionally stable

Thermal optimized design

1.3 Applications

CATV systems operating in the 40 MHz to 1000 MHz frequency range

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Bandwidth to 1000 MHz; V_B= 24 V (DC); T_mb= 35 °C; unless otherwise specified.

Symbol Parameter

Conditions

f = 45 MHz

Min

Typ

21.5

23.0

450

Max

Unit

G_p

power gain

f = 1000 MHz

22.0

430

24.0

470

[1]

I_tot

total current

[1] Direct Current (DC).

12 3 4 5 6 7

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CGD1042H,112 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CGD1042H	NXP	完全替代	1 GHz, 23 dB gain high output power doubler

与CGD1042H,112相关器件

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