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CES2305

更新时间： 2024-02-02 15:50:48

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华瑞 - CET		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	110K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CES2305 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CES2305 数据手册

CES2305

-V_GS=10,8,6V

25 C

-V_GS=5V

-V_GS=4V

-V_GS=3V

T_J=125 C

-55 C

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

1500

1250

1000

750

500

250

I_D=-4A

V_GS=-10V

iss

rss

-100

-50

100

150

200

-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

TJ, Junction Temperature( C)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. On-Resistance Variation

with Temperature

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

V_DS=V_GS

_GS=0V

I_D=-250µA

10¹

10⁰

10^-1

-50 -25

25 50 75 100 125 150

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

TJ, Junction Temperature( C)

-VSD, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Gate Threshold Variation

with Temperature

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

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