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CES2312

更新时间： 2024-01-29 20:30:33

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华瑞 - CET		晶体晶体管
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4页	277K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CES2312 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

CES2312 数据手册

CES2312

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

20V, 4.5A, R_DS(ON)= 33mΩ @V_GS= 4.5V.

R_DS(ON)= 40mΩ @V_GS= 2.5V.

High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

Rugged and reliable.

Lead free product is acquired.

SOT-23 package.

SOT-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_A= 25 C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Limit

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^a

±8

4.5

13.5

I_DM

Maximum Power Dissipation

P_D

1.25

Operating and Store Temperature Range

TJ,Tstg

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Limit

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient ^b

RθJA

100

C/W

2005.November

http://www.cetsemi.com

7 - 22

12 3 4

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