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CES2312

更新时间： 2024-01-10 19:10:24

品牌	Logo	应用领域
华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	277K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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数据手册

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CES2312 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

CES2312 数据手册

CES2312

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

V_DS=10V

I_D=4.5A

R_DS(ON)Limit

1ms

10ms

100ms

T_A=25 C

T_J=150 C

Single Pulse

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

Qg, Total Gate Charge (nC)

VDS, Drain-Source Voltage (V)

Figure 7. Gate Charge

Figure 8. Maximum Safe

Operating Area

V^DD

toff

d(off)

d(on)

OUT

V^IN

90%

10%

90%

OUT

VGS

10%

INVERTED

R^GEN

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 10. Switching Waveforms

Figure 9. Switching Test Circuit

10⁰

D=0.5

10^-1

0.2

PDM

0.1

10^-2

0.05

1. RθJA (t)=r (t) * RθJA

2. RθJA=See Datasheet

3. TJM-TA = P* RθJA (t)

4. Duty Cycle, D=t1/t2

0.02

Single Pulse

10^-3

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

Square Wave Pulse Duration (sec)

Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve

7 - 25

1 2 34

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