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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-202 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CEN-U06 | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| CEN-U06N | CENTRAL |
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100V,2A,8.33W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Sw |
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| CEN-U06NLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| CEN-U06NPBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| CEN-U06NTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| CEN-U06TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| CENU07 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS |
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| CEN-U07 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| CEN-U07LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic |
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| CEN-U07N | CENTRAL |
获取价格 |
100V,2A,8.33W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Sw |
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