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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-202 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CEN-U07 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| CEN-U07LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic |
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| CEN-U07N | CENTRAL |
获取价格 |
100V,2A,8.33W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Sw |
|
| CEN-U07NLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CEN-U07NPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| CEN-U07TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| CEN-U10 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| CEN-U10LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plast |
|
| CEN-U10N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-202VAR |
|
| CEN-U10PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
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