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CEN-U10LEADFREE PDF预览

CEN-U10LEADFREE

更新时间： 2024-01-26 09:44:48
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 419K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-202, 3 PIN

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CEN-U10LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：TO-202, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.21
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-202JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：45 MHzBase Number Matches：1

CEN-U10LEADFREE 数据手册

 浏览型号CEN-U10LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CEN-U10  
www.centralsemi.com  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEN-U10 type  
is an NPN silicon power transistor designed for high  
voltage amplifier applications. This device is an  
electrical equivalent to Motorola’s MPSU10.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-202 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
300  
300  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
V
V
6.0  
I
0.5  
A
C
P
1.75  
10  
W
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
P
W
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
70  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
12.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=200V  
200  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=6.0V  
100  
nA  
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
l =100μA  
300  
300  
6.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
l =1.0mA  
V
C
l =100μA  
V
E
V
V
l =20mA, I =2.0mA  
1.5  
0.8  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
l =20mA, I =2.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=10V, I =1.0mA  
25  
40  
40  
45  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
FE  
C
=10V, l =30mA  
FE  
C
f
=20V, l =10mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
3.0  
ob  
E
R2 (23-January 2012)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CEN-U10N ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-202VAR
CEN-U10PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
CEN-U45 CENTRAL

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 		NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CEN-U45_07 CENTRAL

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 		NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CEN-U45LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/
CEN-U45N ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR
CEN-U45NLEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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 		暂无描述
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