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CEN-U55LEADFREE PDF预览

CEN-U55LEADFREE

更新时间： 2024-01-04 02:39:29
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 420K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-202, 3 PIN

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CEN-U55LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：TO-202, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.4
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-202
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

CEN-U55LEADFREE 数据手册

 浏览型号CEN-U55LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CEN-U05 CEN-U06 CEN-U07 NPN  
CEN-U55 CEN-U56 CEN-U57 PNP  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEN-U05/U55  
series types are complementary silicon power  
transistors designed for general purpose audio amplifier  
applications. These devices are electrically equivalent to  
National Semiconductor’s NSDU05, NSDU06, NSDU07,  
NSDU55, NSDU56, and NSDU57.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-202 CASE  
APPLICATIONS:  
• Designed for general purpose high  
voltage amplifiers and drivers  
FEATURES:  
• High Collector-Emitter breakdown voltage  
• High 10W power dissipation  
CEN-U05 CEN-U06 CEN-U07  
SYMBOL CEN-U55 CEN-U56 CEN-U57  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
UNITS  
V
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
60  
80  
100  
CBO  
CEO  
EBO  
60  
80  
100  
V
V
4.0  
I
2.0  
A
C
P
10  
W
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
1.75  
-65 to +150  
71.4  
12.5  
W
A
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
°C  
J
stg  
Θ
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=Rated V  
0.1  
μA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CBO  
I
V
=4.0V  
100  
μA  
V
BV  
BV  
BV  
I =1.0mA (CEN-U05, CEN-U55)  
60  
80  
CEO  
CEO  
C
I =1.0mA (CEN-U06, CEN-U56)  
V
C
I =1.0mA (CEN-U07, CEN-U57)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
I =250mA, I =10mA  
0.5  
0.35  
1.2  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =250mA, I =25mA  
V
C
B
V
=1.0V, I =250mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=1.0V, I =50mA  
80  
50  
20  
50  
C
=1.0V, I =250mA  
FE  
C
=1.0V, I =500mA  
FE  
C
f
=5.0V, I =200mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
30  
ob  
E
R2 (20-January 2012)  
12

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CEN-U55N CENTRAL

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CEN-U56 CENTRAL

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 		Power Transistors
CEN-U56LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/
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