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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CEN-U06NTIN/LEAD
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CEN-U06NTIN/LEAD

更新时间： 2024-01-02 05:35:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 426K
描述
Power Bipolar Transistor,

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CEN-U06NTIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.8
Is Samacsys：NJESD-609代码：e0
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CEN-U06NTIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CEN-U06NTIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
CEN-U05 CEN-U06 CEN-U07 NPN  
CEN-U55 CEN-U56 CEN-U57 PNP  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CEN-U05/U55  
series types are complementary silicon power  
transistors designed for general purpose audio amplifier  
applications. These devices are electrically equivalent to  
National Semiconductor’s NSDU05, NSDU06, NSDU07,  
NSDU55, NSDU56, and NSDU57.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-202 CASE  
APPLICATIONS:  
• Designed for general purpose high  
voltage amplifiers and drivers  
FEATURES:  
• High Collector-Emitter breakdown voltage  
• High 10W power dissipation  
CEN-U05 CEN-U06 CEN-U07  
SYMBOL CEN-U55 CEN-U56 CEN-U57  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
UNITS  
V
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
60  
80  
100  
CBO  
CEO  
EBO  
60  
80  
100  
V
V
4.0  
I
2.0  
A
C
P
10  
W
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
1.75  
-65 to +150  
71.4  
12.5  
W
A
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
°C  
J
stg  
Θ
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=Rated V  
0.1  
μA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CBO  
I
V
=4.0V  
100  
μA  
V
BV  
BV  
BV  
I =1.0mA (CEN-U05, CEN-U55)  
60  
80  
CEO  
CEO  
C
I =1.0mA (CEN-U06, CEN-U56)  
V
C
I =1.0mA (CEN-U07, CEN-U57)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
I =250mA, I =10mA  
0.5  
0.35  
1.2  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =250mA, I =25mA  
V
C
B
V
=1.0V, I =250mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=1.0V, I =50mA  
80  
50  
20  
50  
C
=1.0V, I =250mA  
FE  
C
=1.0V, I =500mA  
FE  
C
f
=5.0V, I =200mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
30  
ob  
E
R2 (20-January 2012)  
12

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与CEN-U06NTIN/LEAD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CEN-U06TIN/LEAD CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor,
CENU07 CENTRAL

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 		SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
CEN-U07 CENTRAL

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 		Power Transistors
CEN-U07LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic
CEN-U07N CENTRAL

获取价格

 		100V,2A,8.33W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Sw
CEN-U07NLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CEN-U07NPBFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor,
CEN-U07TIN/LEAD CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor,
CEN-U10 CENTRAL

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 		NPN SILICON POWER TRANSISTOR
CEN-U10LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plast

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