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CEM9926A

更新时间： 2024-11-10 17:15:31

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	1025K
描述
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:7A;Vgs(th)(V):±8;漏源导通电阻:26mΩ@4.5V

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CEM9926A 数据手册

UMW

CEM9926A

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features

V_DS(V) = 20V

I_D= 7A

R_DS(ON)< 26mΩ (V_GS= 4.5V)

_DS(ON)< 33mΩ (V_GS= 2.5V)

R_DS(ON)< 42mΩ (V_GS= 1.8V)

SOP-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±8

T_A=25°C

T_A=70°C

Continuous Drain

Current ^A

I_D

I_DM

Pulsed Drain Current ^B

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation

1.44

-55 to 150

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

62.5

110

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

Steady-State

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

R_θJL

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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