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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CDBW1100R-HF
CDBW1100R-HF PDF预览

CDBW1100R-HF

更新时间： 2024-09-16 07:19:31
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上华 - COMCHIP /
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4页 75K
描述
Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers

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CDBW1100R-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.66
其他特性：LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.86 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流：5.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CDBW1100R-HF 数据手册

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Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers  
Comchip  
S M D D i o d e S p e c i a l i s t  
CDBW120R-HF Thru. CDBW1100R-HF  
Reverse Voltage: 20 to 100 Volts  
Forward Current: 1.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen Free  
SOD-123  
Features  
0.152(3.85)  
0.140(3.55)  
-Low Profile surface mount applications  
in order to optimize board space.  
-Low power loss, high efficiency.  
0.026(0.65)  
0.018(0.45)  
0.067(1.70)  
0.059(1.50)  
-Hight current capability, low forward voltage drop.  
-Hight surge capability.  
-Guarding for overvoltage protection.  
-Ultra high-speed switching.  
0.110(2.80)  
0.102(2.60)  
-Silicon epitaxial planar chip,metal silicon junction.  
0.049(1.25)  
0.041(1.05)  
0.006 (0.15)  
0.003 (0.08)  
Mechanical data  
-Epoxy: UL94-V0 rate flame retardant.  
-Case: Molded plastic, SOD-123  
0.004(0.10) Max.  
0.02 (0.50) REF  
-Terminals: solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Polarity: Indicated by cathode band.  
-weight: 0.010 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at Ta=25 OC unless otherwise noted.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.  
For capacitive load, derate current by 20% .  
CDBW  
CDBW  
CDBW  
CDBW  
CDBW  
Symbol  
Units  
Parameter  
120R-HF  
130R-HF  
140R-HF  
160R-HF  
1100R-G  
Max. Repetitive Peak Reverse Voltage  
Max. DC Blocking Voltage  
Max. RMS voltage  
VRRM  
VDC  
VRMS  
VF  
20  
20  
14  
30  
30  
21  
40  
28  
60  
42  
100  
70  
V
V
40  
60  
100  
0.86  
V
Max. Instantaneous Forward Voltage @  
1.0A, TA=25°C  
0.52  
0.55  
0.75  
V
Operating Temperature  
TJ  
-50 to +150  
°C  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
Units  
See Fig.1  
Forward Rectified Current  
Forward Surge Current  
IO  
1.0  
A
A
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rate load (JEDEC method)  
IFSM  
5.5  
VR =VRRM TA=25°C  
VR =VRRM TA=100°C  
IR  
IR  
0.1  
20  
mA  
mA  
Reverse Current  
Thermal Resistance  
Junction to ambient  
RθJA  
CJ  
88  
°C/W  
pF  
Diode Junction Capacitance f=1MHZ and applied 4V DC reverse Voltage  
Storage Temperature  
120  
TSTG  
-50  
+150  
°C  
REV: A  
Page 1  
QW-JL011  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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