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CBRHD-06 PDF预览

CBRHD-06

更新时间： 2024-11-10 22:24:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 整流二极管桥式整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 147K
描述
HIGH DENSITY SURFACE MOUNT  AMP DUAL IN LINE BRIDGE RECTIFIER

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CBRHD-06 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：600 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CBRHD-06 数据手册

 浏览型号CBRHD-06的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CBRHD SERIES  
Central  
Semiconductor Corp.  
HIGH DENSITY SURFACE MOUNT  
½ AMP DUAL IN LINE  
FEATURES:  
BRIDGE RECTIFIER  
• Truly efficient use of board space, requires  
only 42mm² of board space vs. 120mm² of board  
space for industry standard 1.0 Amp surface  
mount bridge rectifier.  
TM  
HD  
BRIDGE  
• 50% higher density (amps/mm²) than the industry  
standard 1.0 Amp surface mount bridge rectifier.  
HDDIP CASE  
• Glass passivated chips for high reliability.  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHD series types are silicon full wave bridge rectifiers mounted  
in a durable epoxy surface mount molded case, utilizing glass passivated chips.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CBRHD CBRHD CBRHD CBRHD  
SYMBOL  
-02  
200  
200  
140  
-04  
400  
400  
280  
-06  
600  
600  
420  
-10* UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
1000  
1000  
700  
V
V
V
A
A
A
RRM  
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =40°C)(1) I  
0.5  
0.8  
30  
A
O
Average Forward Current (T =40°C)(2) I  
A
O
Peak Forward Surge Current  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
I
FSM  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
F
I =400mA (Per Diode)  
F
1.0  
5.0  
V
mA  
mA  
pF  
I
V =Rated V  
R
R
R
RRM  
I
V =Rated V  
, T =125°C  
500  
R
RRM  
A
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
20  
J
R
(1) Mounted on a Glass-Epoxy P.C.B.  
(2) Mounted on a Ceramic P.C.B.  
*Available on special order, please consult factory.  
104  
12

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与CBRHD-06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CBRHD-06_11 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT HIGH DENSITY 0.5 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER
CBRHD-06BK CENTRAL

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 600V V(RRM), Silicon,
CBRHD-06BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CBRHD-06BKTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 600V V(RRM),
CBRHD-06LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CBRHD-06PBFREE CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode,
CBRHD-06TIN/LEAD CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode,
CBRHD-06TR13 CENTRAL

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 600V V(RRM), Silicon,
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