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CAT28C65BGA-90T

更新时间： 2024-02-23 10:31:38

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CATALYST		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

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CAT28C65BGA-90T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.965 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	32 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	11.425 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

CAT28C65BGA-90T 数据手册

CAT28C65B

D.C. OPERATING CHARACTERISTICS

V_CC= 5V 10%, unless otherwise specified.

Limits

Symbol

Parameter

Min. Typ.

Max.

Units

Test Conditions

CE = OE = V_IL,

f = 1/t_RCmin, All I/O’s Open

CE = OE = V_ILC

I_CC

V_CCCurrent (Operating, TTL)

(1)

I_CCC

V_CCCurrent (Operating, CMOS)

f = 1/t_RCmin, All I/O’s Open

I_SB

V_CCCurrent (Standby, TTL)

V_CCCurrent (Standby, CMOS)

CE = V_IH, All I/O’s Open

(2)

I_SBC

100

µA

CE = V_IHC,

All I/O’s Open

I_LI

Input Leakage Current

Output Leakage Current

–10

µA

V_IN= GND to V_CC

I_LO

V_OUT= GND to V_CC

CE = V_IH

(2)

V_IH

High Level Input Voltage

Low Level Input Voltage

High Level Output Voltage

Low Level Output Voltage

Write Inhibit Voltage

V_CC+0.3

0.8

(1)

V_IL

–0.3

2.4

V_OH

V_OL

V_WI

I_OH= –400µA

0.4

I_OL= 2.1mA

3.5

Note:

(1) V

(2) V

= –0.3V to +0.3V.

ILC

= V –0.3V to V +0.3V.

IHC

Doc. No. 1009, Rev. E

1 2 345 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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