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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.02 |
| 最长访问时间： | 150 ns | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CAT28C65BGI-20TE13 | CATALYST | IC 8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM |
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| CAT28C65BGI-90T | ONSEMI | 64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM |
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| CAT28C65BGI-90T | CATALYST | 64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM |
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| CAT28C65BH13-12T | CATALYST | 64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM |
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| CAT28C65BH13-12T | ONSEMI | 8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, TSOP-28 |
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| CAT28C65BH13-12TE13 | CATALYST | EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28 |
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