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CAT28C65BGI-12TE13

更新时间： 2024-02-23 01:05:42

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安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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13页	78K
描述
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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CAT28C65BGI-12TE13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.97 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

CAT28C65BGI-12TE13 数据手册

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CAT28C65B

64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

■ Fast read access times:

■ Commercial, industrial and automotive

– 90/120/150ns

temperature ranges

■ Low power CMOS dissipation:

– Active: 25 mA max.

■ Automatic page write operation:

– 1 to 32 bytes in 5ms

– Standby: 100 µA max.

– Page load timer

■ Simple write operation:

■ End of write detection:

– Toggle bit

– On-chip address and data latches

– Self-timed write cycle with auto-clear

– DATA polling

– RDY/BUSY

■ Fast write cycle time:

– 5ms max

■ 100,000 program/erase cycles

■ 100 year data retention

■ CMOS and TTL compatible I/O

■ Hardware and software write protection

DESCRIPTION

The CAT28C65B is a fast, low power, 5V-only CMOS

parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling, a RDY/BUSY pin and Toggle status bits

signal the start and end of the self-timed write cycle.

Additionally, the CAT28C65B features hardware and

software write protection.

The CAT28C65B is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-

approved 28-pin DIP, 28-pin TSOP, 28-pin SOIC or 32-

pin PLCC packages.

BLOCK DIAGRAM

8,192 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

32 BYTE PAGE

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

DATA POLLING,

TOGGLE BIT &

TIMER

RDY/BUSY LOGIC

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

RDY/BUSY

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1009, Rev. H

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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CAT28C65BGI-15	CATALYST	暂无描述	获取价格
CAT28C65BGI-15T	ONSEMI	64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM	获取价格
CAT28C65BGI-15T	CATALYST	64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM	获取价格
CAT28C65BGI-15TE13	CATALYST	EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	获取价格

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