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CAT28C65BGA-90T PDF预览

CAT28C65BGA-90T

更新时间： 2024-01-25 10:00:13
品牌 Logo 应用领域
CATALYST 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
13页 418K
描述
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

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CAT28C65BGA-90T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.58Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e3
长度：13.965 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：105 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：32 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：3.55 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：11.425 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

CAT28C65BGA-90T 数据手册

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CAT28C65B  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*  
*COMMENT  
Temperature Under Bias ................. –55°C to +125°C  
Storage Temperature....................... –65°C to +150°C  
Stresses above those listed under “Absolute Maximum  
Ratings” may cause permanent damage to the device.  
These are stress ratings only, and functional operation  
of the device at these or any other conditions outside of  
those listed in the operational sections of this specifica-  
tion is not implied. Exposure to any absolute maximum  
rating for extended periods may affect device perfor-  
mance and reliability.  
Voltage on Any Pin with  
Respect to Ground(2) ........... –2.0V to +VCC + 2.0V  
VCC with Respect to Ground ............... –2.0V to +7.0V  
Package Power Dissipation  
Capability (Ta = 25°C)................................... 1.0W  
Lead Soldering Temperature (10 secs) ............ 300°C  
Output Short Circuit Current(3) ........................ 100 mA  
RELIABILITY CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Endurance  
Min.  
105  
Max.  
Units  
Cycles/Byte  
Years  
Test Method  
(1)  
NEND  
MIL-STD-883, Test Method 1033  
MIL-STD-883, Test Method 1008  
MIL-STD-883, Test Method 3015  
JEDEC Standard 17  
(1)  
TDR  
Data Retention  
ESD Susceptibility  
Latch-Up  
100  
(1)  
VZAP  
2000  
100  
Volts  
(1)(4)  
ILTH  
mA  
MODE SELECTION  
Mode  
CE  
WE  
OE  
L
I/O  
DOUT  
DIN  
Power  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
STANDBY  
ACTIVE  
Read  
L
L
H
Byte Write (WE Controlled)  
Byte Write (CE Controlled)  
Standby, and Write Inhibit  
Read and Write Inhibit  
H
L
X
H
H
DIN  
H
X
X
High-Z  
High-Z  
H
CAPACITANCE T = 25°C, F = 1.0 MHZ, V  
= 5V  
A
CC  
Symbol  
Test  
Max.  
10  
Units  
pF  
Conditions  
(1)  
CI/O  
Input/Output Capacitance  
Input Capacitance  
VI/O = 0V  
VIN = 0V  
(1)  
CIN  
6
pF  
Note:  
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.  
(2) The minimum DC input voltage is –0.5V. During transitions, inputs may undershoot to –2.0V for periods of less than 20 ns. Maximum DC  
voltage on output pins is V +0.5V, which may overshoot to V +2.0V for periods of less than 20 ns.  
CC  
CC  
(3) Output shorted for no more than one second. No more than one output shorted at a time.  
(4) Latch-up protection is provided for stresses up to 100mA on address and data pins from –1V to V +1V.  
CC  
Doc. No. 1009, Rev. E  
3
1234567...13

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CAT28C65BGI-12 CATALYST EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

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