是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | PLASTIC, LCC-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.64 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 150 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
长度: | 13.965 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
页面大小: | 32 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.55 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 11.425 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C64BNA-20 | ETC |
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x8 EEPROM | |
CAT28C64BNA-90T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BNA-90T | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C64BNI-12 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C64BNI-12 | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM | |
CAT28C64BNI-12T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM | |
CAT28C64BNI-12T | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
CAT28C64BNI-12TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
IC 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM | |
CAT28C64BNI-12TE7 | ONSEMI |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C64BNI-12TE7 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |