Datasheet > CAT28C64BNI-20

CAT28C64BNI-20

更新时间： 2024-10-26 19:08:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	74K
描述
IC 8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CAT28C64BNI-20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

CAT28C64BNI-20 数据手册

CAT28C64B

64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

■ Fast read access times:

■ Commercial, industrial and automotive

– 90/120/150ns

temperature ranges

■ Low power CMOS dissipation:

– Active: 25 mA max.

■ Automatic page write operation:

– 1 to 32 bytes in 5ms

– Standby: 100 µA max.

– Page load timer

■ Simple write operation:

■ End of write detection:

– Toggle bit

– On-chip address and data latches

– Self-timed write cycle with auto-clear

– DATA polling

■ Fast write cycle time:

■ 100,000 program/erase cycles

■ 100 year data retention

– 5ms max.

■ CMOS and TTL compatible I/O

■ Hardware and software write protection

DESCRIPTION

The CAT28C64B is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-

approved 28-pin DIP, TSOP, SOIC, or, 32-pin PLCC

package .

The CAT28C64B is a fast, low power, 5V-only CMOS

Parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a

simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling and Toggle status bits signal the start and

end of the self-timed write cycle. Additionally, the

CAT28C64B features hardware and software write

protection.

BLOCK DIAGRAM

8,192 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

32 BYTE PAGE

CONTROL

LOGIC

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TIMER

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1011, Rev. I

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与CAT28C64BNI-20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28C64BNI-20TE13	CATALYST	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C64BNI-20TE7	ONSEMI	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C64BNI-20TE7	CATALYST	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C64BNI-90T	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C64BNI-90T	ONSEMI	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28C64BP-12	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C64BP-12T	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C64BP-15	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM
CAT28C64BP-15	ONSEMI	获取价格	8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
CAT28C64BP-15T	CATALYST	获取价格	64K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM

与CAT28C64BNI-20相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

7
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

4
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

35
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CAT28C64BNI-20

CAT28C64BNI-20 技术参数

CAT28C64BNI-20 数据手册

与CAT28C64BNI-20相关器件

与CAT28C64BNI-20相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CAT28C64BNI-20

CAT28C64BNI-20 技术参数

CAT28C64BNI-20 数据手册

与CAT28C64BNI-20相关器件

与CAT28C64BNI-20相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？