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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.13 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 其他特性： | DATA RETENTION > 10 YEARS |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 10.3 mm | 内存密度： | 256 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 64 words | 字数代码： | 64 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 64X4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CAT22C10JI-30 | ONSEMI |
获取价格 |
64X4 NON-VOLATILE SRAM, 300ns, PDSO16, SOIC-16 |
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| CAT22C10JI-30TE13 | CATALYST |
获取价格 |
256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM |
|
| CAT22C10JI-30TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
64X4 NON-VOLATILE SRAM, 300ns, PDSO16, SOIC-16 |
|
| CAT22C10JI-30-TE13 | CATALYST |
获取价格 |
256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM |
|
| CAT22C10JI-30TE7 | ONSEMI |
获取价格 |
64X4 NON-VOLATILE SRAM, 300ns, PDSO16, 0.300 INCH, SOIC-16 |
|
| CAT22C10L-20 | ONSEMI |
获取价格 |
64X4 NON-VOLATILE SRAM, 200ns, PDIP18, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-18 |
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| CAT22C10L-20 | CATALYST |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 64X4, 200ns, CMOS, PDIP18, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-18 |
|
| CAT22C10L-20-TE13 | CATALYST |
获取价格 |
256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM |
|
| CAT22C10L-30 | CATALYST |
获取价格 |
64X4 NON-VOLATILE SRAM, 300ns, PDIP18, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-18 |
|
| CAT22C10L-30-TE13 | CATALYST |
获取价格 |
256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM |
|
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