是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.24 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | DATA RETENTION > 10 YEARS | JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 21.97 mm |
内存密度: | 256 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 64 words |
字数代码: | 64 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64X4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT22C10P-20TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10P-20-TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10P-30 | ONSEMI |
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64X4 NON-VOLATILE SRAM, 300ns, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | |
CAT22C10P-30TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10P-30-TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10PA-20 | ONSEMI |
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IC 64 X 4 NON-VOLATILE SRAM, 200 ns, PDIP18, PLASTIC, DIP-18, Static RAM | |
CAT22C10PA-20TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10PA-20-TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10PA-30 | ONSEMI |
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64X4 NON-VOLATILE SRAM, 300ns, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | |
CAT22C10PA-30TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM |