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BZX85C82-TR

更新时间: 2024-10-28 13:06:07
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威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
6页 102K
描述
BZX85-Series Zener Diodes

BZX85C82-TR 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Active
零件包装代码:DO-41包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.53Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:200 ΩJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:82 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6.1%
工作测试电流:2.7 mABase Number Matches:1

BZX85C82-TR 数据手册

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BZX85-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
mA  
240  
Tj = 25 °C  
4V7  
5V6  
3V9  
200  
160  
IZ  
6V8  
8V2  
10  
120  
80  
12  
40  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 V  
18456  
VZ  
Fig. 7 - Breakdown Characteristics  
mA  
60  
Tj = 25 °C  
15  
18  
22  
50  
40  
27  
IZ  
33  
39  
30  
20  
47  
10  
0
0
5
10 15 20  
25  
30 35 40 45 50 V  
18457  
VZ  
Fig. 8 - Breakdown Characteristics  
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches): DO-41  
Cathode identification  
26 (1.024) min.  
4.1 (0.161) max.  
26 (1.024) min.  
94 9368  
Rev. 2.1, 22-Nov-11  
Document Number: 85607  
5
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  

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