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BZX85C82-TR

更新时间: 2024-10-28 13:06:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
6页 102K
描述
BZX85-Series Zener Diodes

BZX85C82-TR 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Active
零件包装代码:DO-41包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.53Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:200 ΩJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:82 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6.1%
工作测试电流:2.7 mABase Number Matches:1

BZX85C82-TR 数据手册

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BZX85-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
BASIC CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
°C/W  
103  
°C/W  
200  
5
4
3
2
rthA  
RthA  
102  
5
4
3
0.5  
0.2  
100  
max.  
2
10  
typ.  
0.1  
0.05  
tP  
5
4
3
tP  
___  
v =  
PI  
T
0.02  
2
T
0.01  
1
0
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1  
tP  
1
10s  
0
10  
20  
30mm  
18458  
18461  
lead length  
Fig. 1 - Pulse Thermal Resistance vs. Pulse Duration  
Fig. 4 - Thermal Resistance vs. Lead Length  
W
2
Ω
103  
7
5
4
Ptot  
3
rzj  
2
56  
102  
7
1
43  
5
4
3
2
10  
0
0
100  
Tamb  
200 °C  
0.1  
2
3
4
5
1
2
3
4
5
10mA  
18462  
IZ  
18459  
Fig. 2 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Fig. 5 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
Ω
Ω
103  
5
4
3
2
100  
7
5
4
3
rzj  
rzj  
5V1  
102  
4V3  
5
2
43  
36  
30  
24  
4
3
2
18  
10  
12  
7
5
4
10  
5
22  
18  
3
4
3
2
2
10  
6V2  
7V5  
1
1
1
2
3
4
5
10  
2
3
4
5
100mA  
1
2
3
4
5
10  
2
3
4
5
7
100mA  
7
IZ  
IZ  
18460  
18463  
Fig. 3 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Fig. 6 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Rev. 2.1, 22-Nov-11  
Document Number: 85607  
4
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