Datasheet > BZX85C8V2

BZX85C8V2

更新时间： 2024-02-04 00:46:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管测试
页数	文件大小	规格书
6页	50K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZX85C8V2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.67
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	8.2 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	25 mA	Base Number Matches：	1

BZX85C8V2 数据手册

BZX85C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Sharp edge in reverse characteristics

Low reverse current

Low noise

Very high stability

Available with tighter tolerances

Applications

94 9369

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

1.3

Unit

Junction temperature

Storage temperature range

stg

175

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

110

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

I =200mA

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85608

Rev. 3, 01-Apr-99

1 (5)

12 3 4 5 6

下载PDF

与BZX85C8V2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZX85-C8V2	VISHAY	ZENER DIODES	获取价格
BZX85-C8V2	SSC	ZENER DIODES	获取价格
BZX85-C8V2	GOOD-ARK	Zener Diodes	获取价格
BZX85-C8V2	Galaxy Microelectronics	8.2V,1300mW,Zener Diodes	获取价格
BZX85C8V2(G)	LGE	暂无描述	获取价格
BZX85C8V2.TR	SYNSEMI	Zener Diode, 8.2V V(Z), 6%, 1.3W,	获取价格