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BZX85C8V2

更新时间： 2024-02-22 21:54:34
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威世 - VISHAY 二极管测试
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX85C8V2 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-LALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.67
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：8.2 V表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL最大电压容差：2%
工作测试电流：25 mABase Number Matches：1

BZX85C8V2 数据手册

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BZX85C...  
Vishay Telefunken  
Type  
BZX85C...  
2V7  
3V0  
3V3  
3V6  
3V9  
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6V8  
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10  
V
I
for V  
V
and  
r
r
at  
I
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V
V
1
1
1
1
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1
1
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ZT  
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R
V
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80  
80  
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60  
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45  
45  
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35  
35  
25  
25  
25  
mA  
1
1
1
1
1
1
1
1
A
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3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
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6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
2.5 to 2.9  
2.8 to 3.2  
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4.4 to 5.0  
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5.2 to 6.0  
5.8 to 6.6  
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8.5 to 9.6  
9.4 to 10.6  
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< 20  
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< 20  
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–0.08 to –0.05  
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11  
12  
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15  
16  
18  
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8
8
8
8
6
6
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4
4
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12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
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75  
1)  
Tighter tolerances available on request:  
BZX85B... ± 2% of V  
Znom  
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600  
2 (5)  
Document Number 85608  
Rev. 3, 01-Apr-99  
123456

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