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BZX84C9V1W

更新时间: 2024-11-07 05:07:59
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美微科 - MCC 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 82K
描述
Silicon 200 mWatt Zener Diodes

BZX84C9V1W 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.26
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX84C9V1W 数据手册

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BZX84C2V4W thru BZX84C39W  
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES  
PACKAGE  
SOT-323  
POWER  
200 mWatts  
2.4 - 39 Volts  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Planar Die construction  
• 200mW Power Dissipation  
• Zener Voltages from 2.4V - 39V  
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-323, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Approx. Weight: 0.008 gram  
SINGLE  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Power Dissipation (Notes A) at 25OC  
Symbol  
Value  
200  
Units  
mW  
P
D
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) (Notes B)  
2.0  
Amps  
OC  
I
FSM  
Operating Junction and StorageTemperature Range  
-55 to +150  
TJ  
NOTES:  
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.  
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
Part Number: BZX84C2V4W thru BZX84C39W  
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Package / Case : SOT-323;Mounting Style : SMT/SMD;Zener Voltage Vz (V) : 9.1 V;Zener Volta