5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 265 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 3.9 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5.128% | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZX84C3V9T-13 | DIODES |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.13%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAG |
|
| BZX84C3V9-T3 | SENSITRON |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| BZX84C3V9T-7-F | DIODES |
获取价格 |
150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
|
| BZX84C3V9TA | ZETEX |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.33W, Silicon, Unidirectional |
|
| BZX84C3V9TC | MCC |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.33W, Silicon, Unidirectional |
|
| BZX84C3V9-TP | MCC |
获取价格 |
Silicon 350 mWatt Zener Diodes |
|
| BZX84C3V9TR | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BZX84C3V9TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, |
|
| BZX84C3V9TR13PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.1%, 0.35W, |
|
| BZX84C3V9TRL | YAGEO |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
