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BZX84C3V9TR13

更新时间: 2024-11-28 14:29:31
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CENTRAL 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,

BZX84C3V9TR13 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.06
Is Samacsys:N其他特性:PROELECTRON SPECIFICATION
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:90 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:600 Ω元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3.9 V最大反向电流:3 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX84C3V9TR13 数据手册

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