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BZX84C3V9-V

更新时间: 2024-02-18 20:03:07
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KEC 二极管测试光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

BZX84C3V9-V 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.13配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:90 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.9 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX84C3V9-V 数据手册

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BZX84C-V-Series  
SEMICONDUCTOR  
ZENER DIODE  
TECHNICAL DATA  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE  
CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION.  
REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.  
E
L
B
L
FEATURES  
DIM  
A
MILLIMETERS  
2.93+0.20  
Small Package : SOT-23  
Normal Voltage Tolerance About 2.5%.  
_
B
C
D
E
G
H
J
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
2
3
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
1
0.95  
0.13+0.10/-0.05  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
K
L
0.00 ~ 0.10  
0.55  
P
P
SYMBOL  
PD*  
RATING  
300  
UNIT  
mW  
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
M
N
P
Power Dissipation  
M
Tj  
Junction Temperature  
150  
3
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
1. NC  
2. ANODE  
3. CATHODE  
Note PD* : Package Mounted on 99.5% alumina 10  
8
0.6mm.  
2
1
SOT-23  
Marking  
Example 1) 2.0V ~ 3.9V  
Example 2) 4.3V ~ 9.1V  
Lot No.  
Lot No.  
Type Name  
Type Name  
4.3H  
H
TYPE NAME : BZX84C2V0-V  
BZX84C2V2-V  
2AH  
TYPE NAME : BZX84C4V3-V  
4.3H  
2BH  
2CH  
2DH  
30H  
33H  
36H  
39H  
BZX84C2V4-V  
BZX84C2V7-V  
BZX84C3V0-V  
BZX84C3V3-V  
BZX84C3V6-V  
BZX84C3V9-V  
Example 4) 27V ~ 36V  
Example 3) 10V ~ 24V  
Lot No.  
Lot No.  
Type Name  
Type Name  
B
10H  
TYPE NAME : BZX84C10-V  
10H  
TYPE NAME : BZX84C27-V  
27B  
BZX84C30-V  
BZX84C33-V  
BZX84C36-V  
30B  
33B  
36B  
2008. 6. 17  
Revision No : 0  
1/3  

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