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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.13 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 90 Ω | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 3.9 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZX84C3V9-TP | MCC |
获取价格 |
Silicon 350 mWatt Zener Diodes |
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| BZX84C3V9TR | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| BZX84C3V9TR13 | CENTRAL |
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Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, |
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| BZX84C3V9TR13PBFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.1%, 0.35W, |
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| BZX84C3V9TRL | YAGEO |
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Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
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| BZX84-C3V9TRL | NXP |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
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| BZX84C3V9TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
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| BZX84-C3V9TRL13 | NXP |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
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| BZX84C3V9TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, |
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| BZX84C3V9TRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.3W, |
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