BZX55C4V3

更新时间： 2024-09-18 06:45:15

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EIC		稳压二极管齐纳二极管测试
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描述
SILICON ZENER DIODES

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BZX55C4V3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	75 Ω
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	4.3 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
最大电压容差：	7%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C4V3 数据手册

SILICON ZENER DIODES

BZX55C2V4 ~ BZX55C200

DO - 35

V_Z: 2.4 - 200 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

0.150 (3.8)

max.

FEATURES :

* Complete 2.4 to 200 Volts

* High surge current capability

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

0.020 (0.52)max.

min.

* Low leakage current

Dimensions in inches and ( millimeters )

MECHANICAL DATA

* Case : Molded glass

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end. When operated in zener mode,

cathode will be positive with respect to anode

* Mounting position : Any

* Weight : 0.13 gram

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Power Dissipation (Note)

Symbol

Value

Unit

P_D

500

Maximum Forward Voltage at I_F=100 mA

V_F

1.0

Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note1)

Junction Temperature Range

R JA

0.3

K / mW

T_j

- 55 to + 175

T_s

Storage Temperature Range

Note : 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

UPDATE : JANUARY 18, 2002

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