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BZX55C11

更新时间： 2024-01-10 00:37:40

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虹扬 - HY		稳压二极管测试
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4页	196K
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ZENER DIODE

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BZX55C11 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.29	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	20 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	11 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.45%	工作测试电流：	5 mA

BZX55C11 数据手册

BZX55C SERIES

REVERSE VOLTAGE - 2.4 to 188 Volts

DO - 35

ZENER DIODE

FEATURES

● High reliability

.020

TYP.

(0.51)

1.083(27.5)

MIN

APPLICATIONS

● Voltage stabilization

.150(3.8)

MAX

CONSTRUCTION

● Silicon epitaxial planar

.079

MAX

(2.0)

1.083(27.5)

MIN

Dimensions in inches and (millimeters)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

500

Unit

℃

Power dissipation

Z-current

I=4mm TL≤25℃

Pv/Vz

Junction temperature

Storage temperature range

175℃

Tstg

-55 ~ +200

℃

MAXIMUM THERMAL RESISTANCE

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Symbol

RthJA

Value

350

Unit

K/W

Junction ambient

I=4mm TL=constant

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

IF=200mA

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.5

Unit

Forward voltage

~ 399 ~

12 3 4

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BZX55-C11/A52R	NXP	获取价格	11V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS
BZX55C11/TAP	VISHAY	获取价格	DIODE 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2
BZX55C11/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2
BZX55C110	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES