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BZX55C10

更新时间: 2024-11-06 06:45:11
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5页 192K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODE

BZX55C10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.33
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:15 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):265
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:10 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX55C10 数据手册

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BZX55C2V0-  
BZX55C75  
SILICON PLANAR ZENER DIODE  
FEATURES  
Zener Voltage Range 2.0 to 75 Volts  
DO-35 Package (JEDEC)  
*
*
*
*
*
*
Through-Hole Device Type Mounting  
Hermetically Sealed Glass  
DO-35  
Compression Bonded Construction  
All external surfaces are corrosion resistant and leads  
are readily solderable  
(
)
.022 0.56  
DIA.  
(
)
.018 0.46  
(
)
1.02 26.0  
MIN.  
(
)
.165 4.2  
MAX.  
(
)
.079 2.0  
DIA.  
MAX.  
(
)
1.02 26.0  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
SYMBOL  
VALUE  
500  
UNITS  
mW  
Power Dissipation  
P
D
T
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
200  
J
OC  
OC  
-65to+200  
T
stg  
Note: "Fully RoHS Compliant", "100% Sn Plating (Pb-free)".  
VB 2007-4  

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