BZX55C100

更新时间： 2024-02-21 16:41:12

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虹扬 - HY		稳压二极管齐纳二极管
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描述
ZENER DIODE

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BZX55C100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	100 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	6%	工作测试电流：	1 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C100 数据手册

BZX55C SERIES

REVERSE VOLTAGE - 2.4 to 188 Volts

DO - 35

ZENER DIODE

FEATURES

● High reliability

.020

TYP.

(0.51)

1.083(27.5)

MIN

APPLICATIONS

● Voltage stabilization

.150(3.8)

MAX

CONSTRUCTION

● Silicon epitaxial planar

.079

MAX

(2.0)

1.083(27.5)

MIN

Dimensions in inches and (millimeters)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

500

Unit

℃

Power dissipation

Z-current

I=4mm TL≤25℃

Pv/Vz

Junction temperature

Storage temperature range

175℃

Tstg

-55 ~ +200

℃

MAXIMUM THERMAL RESISTANCE

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Symbol

RthJA

Value

350

Unit

K/W

Junction ambient

I=4mm TL=constant

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

IF=200mA

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.5

Unit

Forward voltage

~ 399 ~

12 3 4

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