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BZX55C100

更新时间: 2024-02-28 22:18:07
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虹扬 - HY 稳压二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
4页 196K
描述
ZENER DIODE

BZX55C100 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:100 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6%工作测试电流:1 mA
Base Number Matches:1

BZX55C100 数据手册

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RATING AND CHARACTERISTIC CURVES  
BZX55C SERIES  
FIG. 2 - TOTAL POWER DISSIPATIONVS.  
AMBIENT TEMPERATURE  
FIG. 1 - THERMAL RESISTANCE VS.LEAD LENGTH  
500  
600  
500  
400  
300  
400  
300  
200  
200  
100  
0
100  
0
0
5
10  
15  
20  
LEAD LENGTH (mm)  
0
40  
80  
120  
160  
200  
AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
FIG. 4 - TYPICAL CHANGE OF WORKING VOLTAGE VS.  
JUNCTION TEMPERATURE  
FIG.3 -TYPICAL CHANGE OF WORKING VOLTAGE  
UNDER OPERATING CONDITIONS AT Tamb=25°C  
1000  
1.3  
VZtn=Vzt/Vz(25°C)  
TJ=25°C  
6x10
-4/
K  
8x10-4/K  
1.2  
TKyz=10x10-4/K  
100  
10  
1
1.1  
4x10-4/K  
2x10-4/K  
Iz=5mA  
1.0  
0
-2x10-4/K  
-4x10-4/K  
0.9  
0.8  
-60  
240  
0
60  
120  
180  
0
5
15  
Z-VOLTAGE (V)  
20  
25  
10  
JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
FIG.5 - TYPICAL CHANGE OF WORKING VOLTAGE VS.  
JUNCTION TEMPERATURE  
FIG.6 - DIODE CAPACITANCE VS.Z-VOLTAGE  
200  
15  
VR=2V  
TJ=25°C  
150  
100  
10  
5
Iz=5mA  
50  
0
0
-5  
0
5
10  
15  
20  
25  
0
10  
20  
30  
40  
50  
Z-VOLTAGE(V)  
Z-VOLTAGE(V)  
~ 400 ~  

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