BZX55C100

更新时间： 2024-01-15 21:03:34

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EIC		稳压二极管齐纳二极管
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SILICON ZENER DIODES

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BZX55C100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	100 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	6%	工作测试电流：	1 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C100 数据手册

SILICON ZENER DIODES

BZX55C2V4 ~ BZX55C200

DO - 35

V_Z: 2.4 - 200 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

0.150 (3.8)

max.

FEATURES :

* Complete 2.4 to 200 Volts

* High surge current capability

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

0.020 (0.52)max.

min.

* Low leakage current

Dimensions in inches and ( millimeters )

MECHANICAL DATA

* Case : Molded glass

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end. When operated in zener mode,

cathode will be positive with respect to anode

* Mounting position : Any

* Weight : 0.13 gram

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Power Dissipation (Note)

Symbol

Value

Unit

P_D

500

Maximum Forward Voltage at I_F=100 mA

V_F

1.0

Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note1)

Junction Temperature Range

R JA

0.3

K / mW

T_j

- 55 to + 175

T_s

Storage Temperature Range

Note : 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

UPDATE : JANUARY 18, 2002

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