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BZV85-C12T/R

更新时间: 2024-01-23 00:45:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
9页 75K
描述
DIODE 12 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

BZV85-C12T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-41包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.23其他特性:CAPACITANCE IS CAPTURED FROM THE GRAPH
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 ΩJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC50005-010标称参考电压:12 V
最大反向电流:0.2 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:10.8 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

BZV85-C12T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BZV85 series  
Voltage regulator diodes  
Product data sheet  
1999 May 11  
Supersedes data of 1996 Apr 26  

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