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BZV85-C13

更新时间: 2024-01-02 02:13:21
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
Voltage regulator diodes

BZV85-C13 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-41包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.3Is Samacsys:N
其他特性:CAPACITANCE IS CAPTURED FROM THE GRAPH外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:10 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50005-010
标称参考电压:13 V最大反向电流:0.2 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:12 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

BZV85-C13 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BZV85 series  
Voltage regulator diodes  
1999 May 11  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Apr 26  

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