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BZV85-C16

更新时间： 2024-11-28 11:10:51

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安世 - NEXPERIA		测试二极管
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10页	1782K
描述
Voltage regulator diodesProduction

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BZV85-C16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
参考标准：	IEC-60134	标称参考电压：	16 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	15 mA	Base Number Matches：	1

BZV85-C16 数据手册

BZV85 series

Voltage regulator diodes

Rev. 03 — 10 November 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Medium-power voltage regulator diodes in small hermetically sealed leaded

SOD66 (DO-41) glass packages.

The diodes are available in the normalized E24 approximately ±5 % tolerance range.

The series consists of 33 types with nominal working voltages from 3.6 V to 75 V.

1.2 Features

I Total power dissipation: max. 1.3 W

I Tolerance series: approximately ±5 %

I Non-repetitive peak reverse power

dissipation: max. 60 W

I Working voltage range:

nominal 3.3 V to 75 V (E24 range)

I Small hermetically sealed glass

package

1.3 Applications

I Stabilization purposes

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_F

forward voltage

I_F= 50 mA

P_tot

total power dissipation

[1]

T_amb= 25 °C;

lead length 10 mm

[2]

[3]

1.3

P_ZSM

non-repetitive peak reverse

power dissipation

square wave;

t_p= 100 µs

[1] Device mounted on a Printed-Circuit Board (PCB) with 1 cm²copper area per lead.

[2] If the leads are kept at T_tp= 55 °C at 4 mm from body.

[3] T_j= 25 °C prior to surge

12 3 4 5 6 7...10

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