Datasheet > BZV85-C11,113

BZV85-C11,113

更新时间： 2024-11-01 14:41:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		测试二极管
页数	文件大小	规格书
10页	53K
描述
BZV85 series - Voltage regulator diodes DO-4 2-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZV85-C11,113 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DO-4	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.32	其他特性：	CAPACITANCE IS CAPTURED FROM THE GRAPH
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	10 Ω	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC50005-010
标称参考电压：	11 V	最大反向电流：	0.2 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	电压温度Coeff-Max：	9.3 mV/ °C
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

BZV85-C11,113 数据手册

BZV85 series

Voltage regulator diodes

Rev. 03 — 10 November 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Medium-power voltage regulator diodes in small hermetically sealed leaded

SOD66 (DO-41) glass packages.

The diodes are available in the normalized E24 approximately ±5 % tolerance range.

The series consists of 33 types with nominal working voltages from 3.6 V to 75 V.

1.2 Features

I Total power dissipation: max. 1.3 W

I Tolerance series: approximately ±5 %

I Non-repetitive peak reverse power

dissipation: max. 60 W

I Working voltage range:

nominal 3.3 V to 75 V (E24 range)

I Small hermetically sealed glass

package

1.3 Applications

I Stabilization purposes

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_F

forward voltage

I_F= 50 mA

P_tot

total power dissipation

[1]

T_amb= 25 °C;

lead length 10 mm

[2]

[3]

1.3

P_ZSM

non-repetitive peak reverse

power dissipation

square wave;

t_p= 100 µs

[1] Device mounted on a Printed-Circuit Board (PCB) with 1 cm²copper area per lead.

[2] If the leads are kept at T_tp= 55 °C at 4 mm from body.

[3] T_j= 25 °C prior to surge

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

BZV85-C11,113 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N4741A-TR	VISHAY	功能相似	Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 1W,
BZX85C13-TAP	VISHAY	功能相似	Silicon Epitaxial Planar ZâDiodes
BZX85C11	FAIRCHILD	功能相似	Zeners

与BZV85-C11,113相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZV85-C11,133	NXP	获取价格	BZV85 series - Voltage regulator diodes DO-4 2-Pin
BZV85C110	PINGWEI	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODES
BZV85C110	GOOD-ARK	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
BZV85-C11153	NXP	获取价格	11V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
BZV85-C11T/R	NXP	获取价格	DIODE 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, H
BZV85C12	CDIL	获取价格	Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41,
BZV85C12	NXP	获取价格	12V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC
BZV85C12	GOOD-ARK	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
BZV85C12	PINGWEI	获取价格	SILICON PLANAR ZENER DIODES
BZV85C12	SWST	获取价格	稳压二极管

与BZV85-C11,113相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZV85-C11,113

BZV85-C11,113 技术参数

BZV85-C11,113 数据手册

BZV85-C11,113 替代型号

与BZV85-C11,113相关器件

与BZV85-C11,113相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZV85-C11,113

BZV85-C11,113 技术参数

BZV85-C11,113 数据手册

BZV85-C11,113 替代型号

与BZV85-C11,113相关器件

与BZV85-C11,113相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？