BZT03D10-TAP

更新时间： 2024-02-19 17:49:50

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管测试
页数	文件大小	规格书
5页	70K
描述
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 1.3W,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT03D10-TAP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	4 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	10 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	10%
Base Number Matches：	1

BZT03D10-TAP 数据手册

BZT03D...

Vishay Telefunken

Characteristics (T_j= 25 C unless otherwise specified)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

T =25°C

2.0

0.5

1.0

V – Forward Voltage ( V )

1.5

94 9086a

94 9585

Figure 1. Epoxy glass hard tissue, board

Figure 3. Forward Current vs. Forward Voltage

thickness 1.5 mm, R

100 K/W

thJA

10000

l=10mm

15mm

T =25°C

1000

100

T =constant

20mm

see Fig.1

100

0.01

0.1

200

120

160

94 9586

t – Pulse Length ( ms )

94 9584

amb

– Ambient Temperature ( °C )

Figure 2. Total Power Dissipation vs.

Ambient Temperature

Figure 4. Non Repetitive Surge Power Dissipation vs.

Pulse Length

Dimensions in mm

3.6 max.

94 9538

Sintered Glass Case

SOD 57

Weight max. 0.5g

Cathode Identification

technical drawings

according to DIN

specifications

0.82 max.

26 min.

4.2 max.

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

4 (5)

Document Number 85600

Rev. 2, 01-Apr-99

1 2 345

下载PDF

与BZT03D10-TAP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT03D10-TR	VISHAY	Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 1.3W,	获取价格
BZT03D11	VISHAY	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors	获取价格
BZT03D11	LGE	POWER DISSIPATION: 3.25 W	获取价格
BZT03D11	BL Galaxy Electrical	11V,1300mW,Zener Diodes	获取价格
BZT03D110	LGE	POWER DISSIPATION: 3.25 W	获取价格
BZT03D110	VISHAY	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors	获取价格