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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 160 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 最大电压容差： | 6.88% |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZD142W-180 | NXP |
获取价格 |
ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
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| BZD142W-180,115 | NXP |
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DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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| BZD142W-180,135 | NXP |
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DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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| BZD142W-180/T3 | NXP |
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DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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| BZD142W-180T/R | NXP |
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DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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| BZD142W-200 | NXP |
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ZenBlockTM; zener with integrated blocking diode |
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| BZD142W-200,115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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| BZD142W-200,135 | NXP |
获取价格 |
DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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| BZD142W-200/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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| BZD142W-200T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMEIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Transi |
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