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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 最大反向恢复时间： | 4 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYX86TAP | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AN |
|
| BYX86TR | VISHAY |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AN |
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| BYX90G | NXP |
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High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifier |
|
| BYX90G | NJSEMI |
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Diode Switching 7.5KV 550A 2-Pin GALF |
|
| BYX90GAMO | NXP |
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暂无描述 |
|
| BYX90GT/R | NXP |
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DIODE 0.55 A, 7500 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diod |
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| BYX96 | NXP |
获取价格 |
RECTIFIER DIODES |
|
| BYX96-1200 | NXP |
获取价格 |
RECTIFIER DIODES |
|
| BYX96-1200 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| BYX96-1200 | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), |
|
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