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BYW82_10

更新时间： 2024-11-30 09:03:47
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威世 - VISHAY 二极管
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描述
Standard Avalanche Sinterglass Diode

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BYW82, BYW83, BYW84, BYW85, BYW86  
Vishay Semiconductors  
Standard Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Controlled avalanche characteristics  
• Low reverse current  
• High surge current loading  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
949588  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-64  
APPLICATIONS  
• Rectification, general purpose  
Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 858 mg  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
PACKAGE  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
BYW82  
BYW83  
BYW84  
BYW85  
BYW86  
V
V
V
V
R = 200 V; IFAV = 3 A  
R = 400 V; IFAV = 3 A  
R = 600 V; IFAV = 3 A  
R = 800 V; IFAV = 3 A  
V
R = 1000 V; IFAV = 3 A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
See electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sine wave  
PART  
BYW82  
BYW83  
BYW84  
BYW85  
BYW86  
SYMBOL  
VALUE  
200  
400  
600  
800  
1000  
100  
18  
UNIT  
V
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
IFSM  
V
Reverse voltage = repetitive peak  
reverse voltage  
V
V
V
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
A
IFRM  
A
IFAV  
3
A
Pulse avalanche peak power  
tp = 20 μs, half sine wave, Tj = 175 °C  
PR  
1000  
W
Pulse energy in avalanche mode, non  
repetitive (inductive load switch off)  
i2t-rating  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 175 °C  
ER  
i2t  
20  
40  
mJ  
A2s  
°C  
Junction and storage temperature  
range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Lead length l = 10 mm, TL = constant  
On PC board with spacing 25 mm  
RthJA  
25  
70  
K/W  
K/W  
Junction ambient  
RthJA  
Document Number: 86051  
Rev. 1.7, 25-Aug-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
161  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYW82GP GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 1000V CURRENT: 3.0A
BYW82-TAP VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
BYW82-TR VISHAY

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 		DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE
BYW83 VISHAY

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 		Silicon Mesa Rectifiers
BYW83GP GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 1000V CURRENT: 3.0A
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BYW84GP GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:200 TO 1000V CURRENT: 3.0A
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